突破15mm尺寸壁壘

超大尺寸
SCD金剛石晶圓

達100mm圓形晶圓和80×80mm方形板材,將最高熱導體(>2200 W/m·K)引入晶圓級封裝和大尺寸AI中介層。

超越矽。超越規模。

歷史上金剛石晶圓一直被限制在15mm——對現代AI封裝毫無用處。我們的100mm CVD技術改變了一切。

達100mm / 4英寸

100mm圓形晶圓和60×60mm至80×80mm方形板材,適用於晶圓級封裝(WLP)和整體式中介層。

>2200 W/m·K 熱導率

單晶金剛石提供所有材料中最高的熱導率——將熱點均勻地擴散到整個襯底上。

外延就緒表面 (Ra ~1nm)

我們的A型表面達到Ra ~1nm,厚度公差±0.05mm——實現GaN-on-Diamond原子級直接鍵合。

外形尺寸

幾何形狀與尺寸

我們的超大尺寸SCD晶圓有兩種標準幾何形狀,也可通過定製DFM提供自定義形狀。

標準幾何形狀

  • 100mm圓形晶圓:用於標準半導體fab加工
  • 方形板材:60×60mm至80×80mm,用於方形晶片貼裝
  • 自定義形狀:八角形和不規則幾何形狀可選

規格選項

A型:外延就緒
表面粗糙度 (Ra) ~1 nm
厚度公差 ±0.05 mm
目標應用 光學 / 外延
B型:機械級
表面粗糙度 (Ra) ~5 nm
厚度公差 ±0.03 mm
目標應用 熱擴散
厚度選項
標準範圍 100 µm – 500 µm
定製研磨 可按需提供
匹配部件與應用

為下一代AI封裝而設計

我們的100mm SCD晶圓支援晶圓級封裝、GaN-on-Diamond整合和超高功率測試。

整體式AI晶片/GPU中介層

AI加速器2.5D/3D高級封裝

連續80×80mm SCD板材將GPU晶片上的極端局部熱點(熱點)均勻擴散到整個襯底,防止熱節流,保護相鄰的HBM堆疊。

工程半導體襯底

GaN-on-Diamond或矽-on-Diamond

100mm尺寸支援標準fab加工。~1nm Ra表面允許原子級直接鍵合,用於具有整合金剛石散熱的大規模射頻或功率晶片陣列。

先進測試卡盤和探針卡

1000W+ HPC晶片晶圓級測試

防止未封裝的半導體晶片在大電流fab測試中因過熱而自毀,大幅提高良率。

標準尺寸

雖然我們提供精確外形的定製DFM,但我們最常制造的配置是:

幾何形狀 尺寸 典型厚度 表面光潔度
100mm圓形晶圓 Ø 100mm × ~1mm 300–500 µm Ra ~1nm (外延就緒)
60×60mm板材 60×60mm 200–500 µm Ra ~5nm (機械級)
80×80mm板材 80×80mm 300–500 µm Ra ~1nm (外延就緒)
自定義矩形 最大100×100mm 100–500 µm 可提供定製研磨

需要自定義尺寸或形狀?

我們提供定製研磨、自定義幾何形狀(八角形、不規則形狀)和專業應用NRE。請聯繫我們了解您的要求。