突破15mm尺寸壁垒

超大尺寸
SCD金刚石晶圆

达100mm圆形晶圆和80×80mm方形板材,将最高热导体(>2200 W/m·K)引入晶圆级封装和大尺寸AI中介层。

超越硅。超越规模。

历史上金刚石晶圆一直被限制在15mm——对现代AI封装毫无用处。我们的100mm CVD技术改变了一切。

达100mm / 4英寸

100mm圆形晶圆和60×60mm至80×80mm方形板材,适用于晶圆级封装(WLP)和整体式中介层。

>2200 W/m·K 热导率

单晶金刚石提供所有材料中最高的热导率——将热点均匀地扩散到整个衬底上。

外延就绪表面 (Ra ~1nm)

我们的A型表面达到Ra ~1nm,厚度公差±0.05mm——实现GaN-on-Diamond原子级直接键合。

外形尺寸

几何形状与尺寸

我们的超大尺寸SCD晶圆有两种标准几何形状,也可通过定制DFM提供自定义形状。

标准几何形状

  • 100mm圆形晶圆:用于标准半导体fab加工
  • 方形板材:60×60mm至80×80mm,用于方形芯片贴装
  • 自定义形状:八角形和不规则几何形状可选

规格选项

A型:外延就绪
表面粗糙度 (Ra) ~1 nm
厚度公差 ±0.05 mm
目标应用 光学 / 外延
B型:机械级
表面粗糙度 (Ra) ~5 nm
厚度公差 ±0.03 mm
目标应用 热扩散
厚度选项
标准范围 100 µm – 500 µm
定制研磨 可按需提供
匹配部件与应用

为下一代AI封装而设计

我们的100mm SCD晶圆支持晶圆级封装、GaN-on-Diamond集成和超高功率测试。

整体式AI芯片/GPU中介层

AI加速器2.5D/3D高级封装

连续80×80mm SCD板材将GPU芯片上的极端局部热点(热点)均匀扩散到整个衬底,防止热节流,保护相邻的HBM堆栈。

工程半导体衬底

GaN-on-Diamond或硅-on-Diamond

100mm尺寸支持标准fab加工。~1nm Ra表面允许原子级直接键合,用于具有集成金刚石散热的大规模射频或功率芯片阵列。

先进测试卡盘和探针卡

1000W+ HPC芯片晶圆级测试

防止未封装的半导体芯片在大电流fab测试中因过热而自毁,大幅提高良率。

标准尺寸

虽然我们提供精确外形的定制DFM,但我们最常制造的配置是:

几何形状 尺寸 典型厚度 表面光洁度
100mm圆形晶圆 Ø 100mm × ~1mm 300–500 µm Ra ~1nm (外延就绪)
60×60mm板材 60×60mm 200–500 µm Ra ~5nm (机械级)
80×80mm板材 80×80mm 300–500 µm Ra ~1nm (外延就绪)
自定义矩形 最大100×100mm 100–500 µm 可提供定制研磨

需要自定义尺寸或形状?

我们提供定制研磨、自定义几何形状(八角形、不规则形状)和专业应用NRE。请联系我们了解您的要求。