標準金屬蓋會反射EMI，造成毀滅性的內部串擾。我們的BDD基板吸收電磁能量並立即將其轉化為熱量。
與金屬蓋將高頻信號反彈到晶片上不同，我們的BDD蓋吸收雜散EMI並防止空腔諧振。
1000–2000 W/m·K熱導率，將極端熱負荷從矽結處散去，且無電傳導。
通過精確控制硼摻雜濃度，將微波衰減從0.1 dB/mm調整到5.0 dB/mm。
普通純金剛石是電絕緣體，對微波完全透明，不提供任何EMI衰減。為解決下一代AI數據中心面臨的極端熱管理和信號完整性問題，我們工程設計了一種可用作可調微波衰減器的金剛石板。
通過在我們的專有專利申請中CVD工藝中精確控制硼摻雜濃度，我們創造了一種金剛石板，可在1 GHz至100 GHz範圍內吸收電磁能量並即時將其轉化為熱量，同時作為超高熱導率熱擴散器工作。
雖然我們專精於定製DFM以滿足您的精確外形要求，但我們經常製造這種專利申請中的BDD技術，尺寸專為行業標準封裝設計。
| 尺寸 (mm) | 厚度 | 目標應用 |
|---|---|---|
| 10 × 10 至 20 × 20 | 100–300 µm | 5G/6G 毫米波ASIC、矽光子(SiPh)晶片 Bare-die RF放大器 |
| 25 × 25 至 40 × 40 | 200–400 µm | PCIe Gen 5/6 交換機、NVLink 重定時器、SerDes 封裝蓋 |
| 50 × 50 至 80 × 80 | 300–500 µm | AI GPU 蓋（OAM/SXM 外形）、51.2T 網絡交換機ASIC |
| 最大 100mm 晶圓級 | 100–500 µm | 晶圓級封裝、多晶片模組(MCM) 基板 |
為AI和通信基礎設施中最苛刻的高頻、高功率應用而設計。
1000W+ AI 加速器的裸晶片直裝蓋
標準金屬蓋將高頻信號反射回晶片。我們的BDD蓋吸收雜散EMI，防止空腔諧振和內部串擾，同時將極端熱負荷從矽結處散去。
PCIe Gen 5/6 和 NVLink SerDes 及重定時器晶片
吸收關鍵1–100 GHz頻段內的信號噪聲，確保最大資料傳輸量和信號完整性，且不犧牲高速開關所需的熱預算。
電信基站晶片封裝
用單塊整體金剛石層替代笨重的多組件組件（獨立散熱器 + 微波吸收器），大幅縮小模組尺寸。