用單層整體金剛石結構替代笨重的多組件組件。基於我們最新的多層CVD外延專利。
BDD核心吸收1–100 GHz微波干擾
本徵金剛石基層（>1E10 Ω·cm）防止短路
BDD電阻-溫度監測，25°C–150°C
可選金屬塗層（Cu、Ag、Ni、Au）阻擋外部EMI
基於我們最新的多層CVD外延專利，我們為敏感、超高密度積體電路提供完全集成的全功能封裝蓋。
這種複合金剛石結構同時提供裸晶片電絕緣、微波吸收、外部電磁屏蔽，以及——最獨特的是——利用硼摻雜金剛石層的溫度依賴電阻進行原位溫度傳感。
結果：直接在IC上方獲得即時、高度局部化的結溫讀數，使系統邏輯能夠即時調整冷卻，外部感測器無延遲。
可選金屬塗層（Cu、Ag、Ni、Au）
微波吸收 + 熱擴散 + 熱傳感
本徵金剛石：>1E10 Ω·cm 電絕緣體
氣密/半氣密封裝
我們的專利申請中複合金剛石蓋經常適用於以下高密度應用。我們也提供精確外形的定製DFM。
| 尺寸 (mm) | 結構 | 目標應用 |
|---|---|---|
| 8 × 8 至 15 × 15 | 帶集成側壁的基座 | OSFP和QSFP-DD收發器模組、密集EML/VCSEL雷射陣列 |
| 15 × 15 至 30 × 30 | 可定製側壁高度的完整蓋 | 共封裝光學（CPO）- 光引擎（PIC + EIC小晶片） |
| 30 × 30 至 60 × 60 | 帶本徵金剛石基層的大面積MCM蓋 | 覆蓋多個裸晶片的先進2.5D/3D系統級封裝（SiP） |
為增強流體或空氣冷卻，我們提供CVD生長或雷射蝕刻的微通道和散熱片，精度為50–500 µm高度/深度。
為最苛刻的超高密度積體電路封裝應用而設計。
系統級封裝（SiP）設計
10–50 µm本徵金剛石層可防止裸晶片電氣短路，使熱擴散器可直接、親密接觸矽。這最大化熱傳遞，而BDD核心吸收晶片間微波干擾。
雷射陣列熱管理
雷射對溫度漂移高度敏感。蓋子的內建BDD溫度傳感直接在PIC上方提供即時、高度局部化的結溫讀數，使系統邏輯能夠即時調整冷卻，外部感測器無延遲。