用单层整体金刚石结构替代笨重的多组件组件。基于我们最新的多层CVD外延专利。
BDD核心吸收1–100 GHz微波干扰
本征金刚石基层（>1E10 Ω·cm）防止短路
BDD电阻-温度监测，25°C–150°C
可选金属涂层（Cu、Ag、Ni、Au）阻挡外部EMI
基于我们最新的多层CVD外延专利，我们为敏感、超高密度集成电路提供完全集成的全功能封装盖。
这种复合金刚石结构同时提供裸芯片电绝缘、微波吸收、外部电磁屏蔽，以及——最独特的是——利用硼掺杂金刚石层的温度依赖电阻进行原位温度传感。
结果：直接在IC上方获得实时、高度局部化的结温读数，使系统逻辑能够即时调整冷却，外部传感器无延迟。
可选金属涂层（Cu、Ag、Ni、Au）
微波吸收 + 热扩散 + 热传感
本征金刚石：>1E10 Ω·cm 电绝缘体
气密/半气密封装
我们的专利申请中复合金刚石盖经常适用于以下高密度应用。我们也提供精确外形的定制DFM。
| 尺寸 (mm) | 结构 | 目标应用 |
|---|---|---|
| 8 × 8 至 15 × 15 | 带集成侧壁的基座 | OSFP和QSFP-DD收发器模块、密集EML/VCSEL激光阵列 |
| 15 × 15 至 30 × 30 | 可定制侧壁高度的完整盖 | 共封装光学（CPO）- 光引擎（PIC + EIC小芯片） |
| 30 × 30 至 60 × 60 | 带本征金刚石基层的大面积MCM盖 | 覆盖多个裸芯片的先进2.5D/3D系统级封装（SiP） |
为增强流体或空气冷却，我们提供CVD生长或激光蚀刻的微通道和散热片，精度为50–500 µm高度/深度。
为最苛刻的超高密度集成电路封装应用而设计。
系统级封装（SiP）设计
10–50 µm本征金刚石层可防止裸芯片电气短路，使热扩散器可直接、亲密接触硅。这最大化热传递，而BDD核心吸收芯片间微波干扰。
激光阵列热管理
激光对温度漂移高度敏感。盖子的内置BDD温度传感直接在PIC上方提供实时、高度局部化的结温读数，使系统逻辑能够即时调整冷却，外部传感器无延迟。