标准金属盖会反射EMI，造成毁灭性的内部串扰。我们的BDD基板吸收电磁能量并立即将其转化为热量。
与金属盖将高频信号反弹到芯片上不同，我们的BDD盖吸收杂散EMI并防止空腔谐振。
1000–2000 W/m·K热导率，将极端热负荷从硅结处散去，且无电传导。
通过精确控制硼掺杂浓度，将微波衰减从0.1 dB/mm调整到5.0 dB/mm。
普通纯金刚石是电绝缘体，对微波完全透明，不提供任何EMI衰减。为解决下一代AI数据中心面临的极端热管理和信号完整性问题，我们工程设计了一种可用作可调微波衰减器的金刚石板。
通过在我们的专有专利申请中CVD工艺中精确控制硼掺杂浓度，我们创造了一种金刚石板，可在1 GHz至100 GHz范围内吸收电磁能量并即时将其转化为热量，同时作为超高热导率热扩散器工作。
虽然我们专精于定制DFM以满足您的精确外形要求，但我们经常制造这种专利申请中的BDD技术，尺寸专为行业标准封装设计。
| 尺寸 (mm) | 厚度 | 目标应用 |
|---|---|---|
| 10 × 10 至 20 × 20 | 100–300 µm | 5G/6G 毫米波ASIC、硅光子(SiPh)芯片 Bare-die RF放大器 |
| 25 × 25 至 40 × 40 | 200–400 µm | PCIe Gen 5/6 交换机、NVLink 重定时器、SerDes 封装盖 |
| 50 × 50 至 80 × 80 | 300–500 µm | AI GPU 盖（OAM/SXM 外形）、51.2T 网络交换机ASIC |
| 最大 100mm 晶圆级 | 100–500 µm | 晶圆级封装、多芯片模块(MCM) 基板 |
为AI和通信基础设施中最苛刻的高频、高功率应用而设计。
1000W+ AI 加速器的裸芯片直装盖
标准金属盖将高频信号反射回芯片。我们的BDD盖吸收杂散EMI，防止空腔谐振和内部串扰，同时将极端热负荷从硅结处散去。
PCIe Gen 5/6 和 NVLink SerDes 及重定时器芯片
吸收关键1–100 GHz频段内的信号噪声，确保最大数据传输量和信号完整性，且不牺牲高速开关所需的热预算。
电信基站芯片封装
用单块整体金刚石层替代笨重的多组件组件（独立散热器 + 微波吸收器），大幅缩小模块尺寸。